晶闸管（可控硅）两端为什么并联电阻和电容及阻容元件的选择

一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。　　我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开

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晶闸管的结构和工作原理

1．晶闸管的结构   晶闸管是一种4层功率半导体器件，具有3个PN结，其内部的构造、外形和电路符号如图6-1所示。其中，最外层的P区和N区分别引出两个电极，称为阳极A和阴极K，中间的P区引出控制极（或称门极）。               2．晶闸管的工作原理   晶闸管组成的实际电路如图6-2所示。                       为了说明晶闸管的工作原理，可将其看成NPN和PNP两

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微电子的发展趋势

国际微电子发展的趋势是：集成电路的特征尺寸将继续缩小，集成电路(IC)将发展为系统芯片(SOC)。微电子技术和其他学科相结合将产生很多新的学科生长点，与其它产业结合成为重大经济增长点。1999年中国集成电路的总消耗量折合人民币为436亿元，其中国产芯片的总量为83.8亿元人民币，占世界芯片产量的0.6%。虽然中国微电子产业的发展有了很大进步，但与发达国家相比还很落后，生产技术总体上还有2代左右的差

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半导体掺杂浓度越高，两种载流子的浓度是否都越大？

半导体中的电子和空穴，在热平衡时，它们的浓度保持为一定的常数；但这是一种动态平衡，它们一边复合、又一边产生，在一定的温度下即保持为确定的数值。例如n型半导体，在热平衡情况下，如果再掺入施主使得电子浓度进一步增大，则电子与空穴复合的几率也相应地增大，于是会导致少数载流子——空穴的浓度有明显地降低。因此，半导体的掺杂浓度越高，多数载流子浓度就越大，而少数载流子浓度也就越小。半导体热平衡载流子浓度之间存

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半导体的多数载流子浓度和少数载流子浓度与温度

半导体在任何温度下，都将遵从热平衡条件：np=ni2。因此多数载流子与少数载流子是相互制约着的。多数载流子主要来自于掺杂，而少数载流子都来自于本征激发（属于本征载流子）。当通过掺杂、增大多数载流子浓度时，则多数载流子与少数载流子相互复合的机会增加，将使得少数载流子浓度减小；当升高温度，少数载流子浓度将指数式增大，并且它与多数载流子相互复合的机会也增加，仍然维持着热平衡关系。在温度不是很高时，增加的

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什么是本征半导体？

正解：实际上，电阻率很高的半导体，不一定都是本征半导体。首先要搞清楚本征半导体的实质。凡是两种载流子都对导电起同样作用的半导体，就称为本征半导体。因此，平衡电子浓度和平衡空穴浓度相等的半导体，即为本征半导体；从而本征半导体的条件是：no=po=ni。可见，未掺杂的半导体确实是本征半导体，但是掺杂半导体在高温下也可以转变为本征半导体。因为多数载流子主要是由掺杂提供的，则在杂质全电离时，多数载流子浓度

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